SSD Samsung 990 EVO 1 ТБ (MZ-V9E1T0BW)


DWPD	0.3 раз/день
IOPS записи	800 тыс
IOPS считывания	620 тыс
NVMe	+
TBW	600 ТБ
Внешняя скорость записи	4200 МБ/с
Внешняя скорость считывания	5000 МБ/с
Интерфейс M.2	PCI-E 5.0 2x / PCI-E 4.0 4x
Общие характеристики
Форм-фактор	M.2
Контроллер	Samsung Piccolo
Основное
Тип	внутренний
Графический процессор
Тип памяти	3D TLC NAND / Samsung 133-Layer
Вентилятор
Наработка на отказ	1.5 млн. ч
Общее
Гарантия производителя	5 лет
Дополнительно
Шифрование данных	+ / AES 256-bit, TCG/Opal V2.0
Характеристики накопителя
Объем	1000 ГБ

Написать отзыв

Ваше имя:

Ваш отзыв:

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

SSD Samsung 990 EVO 1 ТБ (MZ-V9E1T0BW)..

8 360 ₽