1 модуль памяти DDR4объем модуля 4 ГБформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2666 МГцCAS Latency (CL): 17
Обьем | 1 модуль 4 Гб |
Общие характеристики | |
Поддержка XMP | нет |
Пропускная способность | 21300 МБ/с |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная видеокарта (Low Profile) | нет |
Основное | |
Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
Тактовая частота | 2666 МГц |
Графический процессор | |
Тип памяти | DDR4 |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 17 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.2 В |