DDR2 1Gb 800 Silicon Power SP001GBLRU800O02

1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 5

Общие характеристики
Форм-фактор	DIMM 240-контактный
Тип памяти	DDR2
Тактовая частота	800 МГц
Пропускная способность	6400 Мб/с
Объем	1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная видеокарта (Low Profile)	нет
Тайминги
CAS Latency (CL)	5
RAS to CAS Delay (tRCD)	5
Row Precharge Delay (tRP)	5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля	16
Напряжение питания	1.8 В

Написать отзыв

Ваше имя:

Ваш отзыв:

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

1 модуль памяти DDR2объем модуля 1 Гбформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 800 МГцCAS Latency (CL)..

1 150 ₽