1 модуль памяти DDR3объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 204-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (CL): 11
| Общие характеристики | |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тип памяти | DDR3 |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 8 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная видеокарта (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество ранков | 2 |
Вы смотрели
1 модуль памяти DDR3объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 204-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (..
3 530 ₽